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J-GLOBAL ID：201102223253894783   整理番号：11A1393942

応力/歪走査型電界顕微鏡法によるSi(001)の表面再構築のその場観察

In situ Observation of Surface Reconstruction of Si(001) with Stress/Strain Field Scanning Probe Microscopy

著者 (2件)： HONGXUAN Guo (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  FUJITA Daisuke (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 8,Issue 4  ページ： 08LB04.1-08LB04.4  発行年： 2011年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,応力/歪走査型電界顕微鏡法(SF-SPM)によるSi(001)表面再構築がその場で観察された。このSF-SPMシステムは走査型トンネル顕微鏡(STM)または原子間力顕微鏡(AFM)として自由に走査されることができる2つの独立したプローブを含んでいる。AFMの特別な構造は,超真空(UHV)チャンバーの限定された空間に設置されるために,プローブへッドをコンパクトにするピエゾ抵抗片持ち梁センサーによって設計されている。低雑音直流電源により,室温と高温におけるSi(111)とSi(001)表面の原子分解能をもつSTMとAFM写真が得られた。このシステムを使用して,応力と時間によるSi(001)表面の再構築が研究された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *原子プローブFIM ,  *表面再構成 ,  *その場観察 ,  *ケイ素 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (29件)：

• 1) M. Huang, C. S. Ritz, B. Novakovic, D. Yu, Y. Zhang, F. Flack, D. E. Savage, P. G. Evans, I. Knezevic, F. Liu, and M. G. Lagally: ACS Nano 3 (2009) 721.
• 2) Z. Liu, J. Wu, W. Duan, M. G. Lagally, and F. Liu: Phys. Rev. Lett. 105 (2010) 016802.
• 3) S. M. Choi, S. H. Jhi, and Y. W. Son: Nano Lett. 10 (2010) 3486.
• 4) C. E. Bach, M. Giesen, H. Ibach, and T. L. Einstein: Phys. Rev. Lett. 78 (1997) 4225.
• 5) F. K. Men, W. E. Pachard, and M. B. Webb: Phys. Rev. Lett. 61 (1988) 2469.

タイトルに関連する用語 (8件)： 応力 ,  歪 ,  走査型 ,  電界 ,  顕微鏡法 ,  Si ,  表面再構築 ,  その場観察