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J-GLOBAL ID：201102223510561464   整理番号：11A0825831

CNx膜の硬さに及ぼす成膜時基板温度・窒素イオンビーム加速電圧・成膜速度の影響

The Effect of Substrate Temperature, Nitrogen Ionbeam Acceleration Voltage, and Deposition Rate on Hardness of Carbon Nitride Coating

著者 (4件)： 野老山貴行 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  齋藤諒介 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  梅原徳次 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  不破良雄 (トヨタ自動車)
資料名： 日本機械学会論文集 C編(Web)  (Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers. Series C (Web))
巻： 77  号： 775  ページ： 624-630 (WEB ONLY)  発行年： 2011年 
JST資料番号： U0184A  ISSN： 1884-8354  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化炭素(Carbon Nitride,CNx)膜は窒素雰囲気中において0.01以下の非常に小さな摩擦係数を発現する物質として報告されている。このような膜は実用上20Gpa程度の硬さが求められており,CNx膜の成膜時におけるカーボンターゲットの電子ビーム蒸着と窒素イオンビーム照射を用いたIBAD法において20GPa以上の高硬度なCNx膜を成膜可能な条件を明らかにする。成膜時の基板温度,窒素イオンビーム加速電圧,成膜速度および膜厚を変化させ,CNx膜の硬さに及ぼす影響を明らかにした。その結果,窒素イオンビーム加速電圧および成膜速度はCNx膜硬さに大きな影響を与えないことが明らかとなり,一方,基板の冷却によりCNx膜は約10GPaの硬さから約20GPaの硬さに増加することが明らかとなった。この原因としてRaman分光分析結果から膜内の結晶構造中sp3結合が基板の冷却により増加したことが明らかとなった。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭素化合物 ,  *窒化物 ,  摩擦係数 ,  窒素ビーム ,  電子ビーム蒸着 ,  イオン照射 ,  Raman分光分析 ,  ナノインデンテーション
準シソーラス用語： イオンビーム照射 ,  *成膜 ,  *窒化炭素

分類 (1件)： 電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 硬さ ,  成膜 ,  基板温度 ,  窒素イオン ,  ビーム ,  加速電圧 ,  成膜速度