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J-GLOBAL ID：201102224538945779   整理番号：11A1882515

CTAB/GaAsヘテロ構造の電気的特性

Electrical property of CTAB/GaAs hetero-structures

著者 (3件)： 田口真理 (日本女大 理) ,  小澤あつみ (日本女大 理) ,  今井元 (日本女大 理)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 236(OME2011 48-57)  ページ： 31-35  発行年： 2011年10月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々は有機材料によるp-nホモ接合を実現することを目的とし,界面活性剤であるCetyl Trimethyl Ammonium Bromide:CTABと,不純物にヨウ化カリウム:KIを用いて試料を作製した。これまで,抵抗率,温度依存性・光導電性などの測定を行い,半導体的性質の有無を検討してきた。また,CTAB試料でホモp-n接合試料を作製し,ダイオード特性が得られた。今回,CTAB試料がp型,n型に作り分けられているかを確認するために,p-C₁₆TAB/n-GaAsとn-C₁₆TAB/p-GaAsの2種類のヘテロ接合試料を作製した。作製した試料のI-V特性と整流特性を測定し,特性評価を行った。また,ヘテロ接合試料のバンド構造の検討を行い,電子親和力が約2.6eVであると推定できた。(著者抄録)

シソーラス用語： 第四アンモニウム ,  脂肪族アミン ,  ヒ化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  電気的性質 ,  *接合ダイオード ,  有機材料 ,  無機材料 ,  *電子親和力 ,  電流電圧特性 ,  素子構造 ,  バンド構造

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

物質索引 (1件)： セチルトリメチルアミニウム・ブロミド

引用文献 (6件)：

• CAMPANELLI, A. R. Hexa-decyl-trimethyl-ammonium Bromid. Acta Cryst., C. 1986, 42, 1380-1383
• IMAI, H. Current-voltage characteristics of organic materials similar to inorganic p-n homo-junction. IEICE Electronics Express. 2010, 7, 2, 105-111
• 川口優. C_<l6>TABで形成した有機材料の電気・光学特性. 信学会論文誌C. 2010, J94, 2, 45-52
• 田口真理. CTABで形成した有機半導体の光導電特性. 2010信学ソ大 (エレクトロニクス). 2010
• 鈴木陽子. CTABで形成した有機半導体の導電特性III. 2007信学ソ大 (エレクトロニクス). 2007

タイトルに関連する用語 (4件)： CTAB ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  電気的特性