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J-GLOBAL ID：201102226410295448   整理番号：11A0862437

軟X線を用いるすれすれ入射小角散乱により調べたSi基板上のアニールされたブロック共重合体膜の表面に近い緩和構造

Near-surface relaxation structure of annealed block copolymer film on Si substrates examined by grazing-incidence small-angle scattering utilizing soft X-rays

著者 (5件)： OKUDA Hiroshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKESHITA Kohki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OCHIAI Shojiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SAKURAI Shin-ichi (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  KITAJIMA Yoshinori (KEK, Tsukuba, JPN)
資料名： Journal of Applied Crystallography  (Journal of Applied Crystallography)
巻： 44  号： 2  ページ： 380-384  発行年： 2011年04月 
JST資料番号： D0631A  ISSN： 0021-8898  CODEN： JACGAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *軟X線 ,  *すれすれ入射 ,  *小角X線散乱 ,  *トリブロック共重合体 ,  *高分子薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *熱処理 ,  緩和現象 ,  ポリスチレン ,  表面
準シソーラス用語： X線小角散乱 ,  エチレンブチレン

分類 (1件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 軟X線 ,  すれすれ入射 ,  小角散乱 ,  Si基板 ,  アニール ,  共重合体膜 ,  緩和