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J-GLOBAL ID：201102229985072377   整理番号：11A0143319

表面不動態化改質によるn型4H-SiCエピタキシャル層におけるキャリア寿命の増大化

Enhancement of Carrier Lifetimes in n-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Improved Surface Passivation

著者 (4件)： KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NANEN Yuichiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HAYASHI Toshihiko (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 12  ページ： 121201.1-121201.3  発行年： 2010年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型4H-SiCエピタキシャル層におけるキャリア寿命は,深準位,表面再結合,基板内の再結合などのいくつかの要因で決まる。本研究において,深準位の除去と表面不動態化改質によってキャリア寿命を0.68μsから13.1μsへと著しく改善することができた。深準位を以前報告した2段階の熱処理によってほぼ取り除き,また,酸化窒素内において1300°Cで熱処理を施した蒸着酸化物を持ちいた表面の不動態化によって表面再結合を減らすことができた。数値計算を用いて,主要な再結合経路について論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 表面 ,  不動態化 ,  *炭化ケイ素 ,  エピタクシー ,  *キャリア寿命 ,  深い準位 ,  再結合 ,  キャリア再結合 ,  数値計算 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  エピタキシャル ,  深準位 ,  表面再結合

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (23件)：

• MATSUNAMI, H. Mater. Sci. Eng. R. 1997, 20, 125
• OKUMURA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 7565
• LENDENMANN, H. Mater. Sci. Forum. 2000, 338-342, 1423
• SINGH, R. Mater. Sci. Forum. 2002, 389-393, 1265
• SUGAWARA, Y. Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2004. 2004, 365

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面不動態化 ,  改質 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  キャリア寿命