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J-GLOBAL ID：201102230798938032   整理番号：11A0799866

熱的に動作するカンチレバーによるVCSELレーシング波長の制御された温度依存性

Controlled temperature dependence of lasing wavelength of VCSELs with a thermally actuated cantilever

著者 (4件)： SANO Hayato (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NAKATA Norihiko (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MATSUTANI Akihiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA Fumio (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE International Semiconductor Laser Conference  (IEEE International Semiconductor Laser Conference)
巻： 22nd  ページ： 160-161  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1285A  ISSN： 0899-9406  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱的に動作するカンチレバーを使ってVCSELレーシング波長の温度依存性を広範囲で制御した。製作したMEMS VCSELはAlGaAs MEMSミラー,三つのGaAs/AlGaAs量子井戸,AlGaAs底面p型DBRを含む活性領域で構成されている。GaAlAs成分の熱膨張係数差からレーシング波長の温度依存性を減少させるカンチレバーの熱的動作が得られる。実験では横モードの130μm長のカンチレバーで-0.15nm/Kの温度依存性であった。半導体レーザでは初めての負性温度依存性である。また,120μm長のカンチレバーに150nmのSiO₂層を載せると温度上昇で赤色シフトが増加し,温度依存性は0.32nm/Kとなり,これは通常VCSELの4倍である。提案するVCSELで正または負の温度依存性を実現できる。

シソーラス用語： *垂直共振器形面発光レーザ ,  *温度依存性 ,  片持梁 ,  半導体レーザ ,  量子井戸 ,  量子井戸レーザ ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  反射器 ,  *MEMS
準シソーラス用語： AlGaAs ,  DBR ,  GaAs ,  VCSEL ,  カンチレバー

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： カンチレバー ,  VCSEL ,  波長 ,  温度依存性