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J-GLOBAL ID：201102231570443412   整理番号：11A0125197

白金線電極を使用するSiブロックをウエハースにスライスするための電気化学的方法

Electrochemical method for slicing Si blocks into wafers using platinum wire electrodes

著者 (4件)： LEE Chia-lung (Res. Center for Solar Energy Chemistry, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  KANDA Yuji (Res. Center for Solar Energy Chemistry, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  IKEDA Shigeru (Res. Center for Solar Energy Chemistry, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  MATSUMURA Michio (Res. Center for Solar Energy Chemistry, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 95  号： 2  ページ： 716-720  発行年： 2011年02月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 触媒電極と対極として,其々,Ptワイヤ(φ=50μm)とPtホイルを使用する電気化学的方法により,まっすぐな溝が,HFを含む水溶液中で,単結晶Siウェハーと多結晶Siブロックに形成された。溝は約2.25V対Ag/AgClのアノード電位を,Siに接触するPtワイヤに適用することにより形成された。溝入れ速度とモルフォロジーはHF濃度に依存していた。また,溝入れ速度は,約54×10⁴g/cm圧力下で,15モルdm³HF中で加工することにより,250μm厚の単結晶ウェハの縁で形成された。この圧力は,溝入れ速度を増やすために必要であった。多分,SiとPt間で形成された絶縁ポーラスシリコン層は,この圧力下で破壊された。多結晶ポSiブロックにこの過程を適用して,電気化学的方法で1×1cm²サイズのSiウエハーが得られた。しかしながら,溝の深さが増加するとスライス速度は低下し,ウエハーを得るのに120hを要した。溝のHF溶液の遅い交換は,Siブロックをスライスする遅い速度の主な理由であると考えられた。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  電気化学 ,  *スライス ,  電極 ,  *白金電極 ,  開先 ,  *開先加工 ,  多孔質シリコン ,  *フッ化水素 ,  モルフォロジー ,  *シリコンウエハ ,  *加工
準シソーラス用語： 対極 ,  グルーブ

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 白金 ,  線電極 ,  Si ,  ウエハース ,  スライス ,  電気化学