文献

J-GLOBAL ID：201102231680504328   整理番号：11A1766768

異なる表面処理法のIn_0.53Ga_0.47As基板上のLa₂O₃金属-酸化物-半導体構造の静電容量-電圧評価

Capacitance-Voltage Characterization of La₂O₃ Metal-Oxide-Semiconductor Structures on In_0.53Ga_0.47As Substrate with Different Surface Treatment Methods

著者 (12件)： ZADE Dariush (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KANDA Takashi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMASHITA Koji (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  KAKUSHIMA Kuniyuki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NOHIRA Hiroshi (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  AHMET Parhat (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TSUTSUI Kazuo (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NISHIYAMA Akira (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SUGII Nobuyuki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NATORI Kenji (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HATTORI Takeo (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IWAI Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 10,Issue 2  ページ： 10PD03.1-10PD03.4  発行年： 2011年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ化水素酸による最初の酸化物除去の後ヘキサメチルジシラザン(HMDS)蒸気または(NH₄)₂S溶液を使ってInGaAs表面処理を研究した。各々の処理のLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47As金属-酸化物-半導体(MOS)コンデンサの界面特性への効果を評価した。InGaAsのHMDS表面処理に続くLa₂O₃堆積と,形成ガス焼鈍は,(NH₄)₂S処理より効果的にMOSコンデンサの界面状態密度を減らすことを見つけた。静電容量-電圧データの比較が累積近くで,(NH₄)₂S 溶液で処理した試料よりおよそ40%少ない周波数分散で,HMD-処理した試料が1MHzで2.3μF/cm²の最大累積静電容量に達することを示した。これらの結果は,HMDS適用のプロセス最適化がInGaAs MOS界面の更なる改善となり,これによって,InGaAs表面不動態化のための潜在的ルーチン至ることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 表面処理 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *コンデンサ ,  静電容量 ,  電圧 ,  フッ化水素 ,  酸化物 ,  酸化ランタン ,  界面 ,  状態密度 ,  不動態化

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： ヘキサメチルジシラザン

引用文献 (30件)：

• 1) R Chau. presented at 64th IEEE Device Research Conf., 2006.
• 2) R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, B. Jin, J Kavaheros, A. Majumdar, M. Metz, and M. Radosavljevic: IEEE Trans Nanotechnol. 4 (2005) 153
• 3) M. Heyns and W. Tsar MRS Bull 34 (2009) 485.
• 4) M. V Fischetti, S Jin, T W Tang, P. Asbeck, Y Taur, S E Laux, M Rodwell, and N. Sano: J Comput. Electron 8 (2009) 60.
• 5) D H. Kim and J A Alamo. IEDM Tech. Dig , 2006, p 837.

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面処理 ,  La2O3 ,  酸化物 ,  静電容量 ,  評価