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J-GLOBAL ID：201102232034235633   整理番号：11A0797613

InGaN薄膜表面におけるAuナノ構造の作製と光学特性

著者 (9件)： 中治光童 (北大 大学院) ,  木場隆之 (北大 大学院) ,  木場隆之 (JST-CREST) ,  村山明宏 (北大 大学院) ,  村山明宏 (JST-CREST) ,  佐久間実緒 (仙台高専) ,  横田幸恵 (北大 電子科研) ,  上野貢生 (北大 電子科研) ,  三澤弘明 (北大 電子科研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.24A-BW-6  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 窒化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *ナノ構造 ,  光ルミネセンス ,  *発光スペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  表面構造 ,  *半導体薄膜 ,  構造

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  薄膜 ,  Au ,  ナノ構造 ,  作製 ,  光学特性