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J-GLOBAL ID：201102233051737029   整理番号：11A0306343

種々の洗浄法における汚染除去性能と多層劣化の評価

Evaluation of the contamination removal capability and Multilayer degradation in various cleaning methods

著者 (4件)： TAKAGI Noriaki (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol. (Selete) Inc., Ibaraki, JPN) ,  ANAZAWA Toshihisa (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol. (Selete) Inc., Ibaraki, JPN) ,  NISHIYAMA Iwao (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol. (Selete) Inc., Ibaraki, JPN) ,  SUGA Osamu (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol. (Selete) Inc., Ibaraki, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7823  号： Pt.2  ページ： 782327.1-782327.8  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVリソグラフィーはHp22nmデバイス製造に最も適した技術である。EUVリソグラフィーでは,EUV光照射の間でのパターン表面上の炭素汚染の沈着が良く知られている。そしてまた,そのような炭素汚染はパターンの転写の正確さに影響を及ぼすことが知られている。炭素汚染を除去するための種々の洗浄法が評価されてきた。吸収体や反射体の低劣化をもつ洗浄法を確立することが重要である。それゆえ,多層上のキャップ層の劣化が研究されてきた。キャップ層の材料として,Ruキャップ層とSiキャップ層の2種類の材料が使用された。この研究では,筆者らは各種の洗浄法の炭素汚染除去性能を研究した。筆者らは洗浄によるキャップ層の劣化を評価した。この劣化評価では,Ruキャップ層とSiキャップ層を評価した。この試験では,炭素除去効果になると思われる洗浄法としてSPM,VUV/O3そしてプラズマを選んだ。VUV/O3洗浄では,実験とシミュレーションは反射率変化においてSiキャッピングはRuキャッピングよりも大きな耐性をもつことが確認された。また,RuキャッピングのVUV/O3洗浄では,反射率は低酸素濃度条件でより低いことが見出された。

シソーラス用語： *洗浄 ,  *汚染防止 ,  *保護膜 ,  半導体プロセス ,  *フォトリソグラフィー ,  *マスク
準シソーラス用語： 汚染除去 ,  キャップ層 ,  Ruキャップ層 ,  Siキャップ層 ,  EUVリソグラフィー ,  EUVマスク

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 洗浄 ,  汚染 ,  除去性能 ,  多層 ,  評価