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J-GLOBAL ID：201102233957870117   整理番号：11A0401355

歪Si pチャネル金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタにおけるチャネルホットキャリア劣化のプロセシング依存性

Processing dependences of channel hot-carrier degradation on strained-Si p-channel metal-oxide semiconductor field-effect transistors

著者 (8件)： AMAT E. (Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP) ,  MARTIN-MARTINEZ J. (Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP) ,  GONZALEZ M. B. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  RODRIGUEZ R. (Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP) ,  NAFRIA M. (Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP) ,  AYMERICH X. (Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP) ,  VERHEYEN P. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  SIMOEN E. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29  号： 1  ページ： 01AB07  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪Si/緩和Si_1-xGe_x構造を持つ金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタにおけるチャネルホットキャリア(CHC)劣化は今まであまり研究されていない。しかし,これ等の試料で観察される高い移動度の増大のために,試料に及ぼすCHCの効果のより深い研究が必要である。この論文では,Ge含有量,被覆成長,チャネル長,および動作温度の効果を分析した。その結果は,比較的高い移動度を持つデバイスは室温および高温領域で比較的大きいCHC劣化を蒙ることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  格子歪 ,  *MOSFET ,  ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  ホットキャリア ,  劣化 ,  チャネル ,  濃度依存性 ,  エピタクシー ,  長さ ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 被覆成長 ,  チャネル長 ,  動作温度

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 歪 ,  Si ,  チャネル ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ ,  ホットキャリア ,  プロセシング ,  依存性