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J-GLOBAL ID：201102239298797022   整理番号：11A0866961

高圧力下での結晶成長 超臨界アンモニアへのGaNの溶解度

Solubility of GaN in Supercritical Ammonia

著者 (2件)： 冨田大輔 (東北大 多元物質科研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究セ) ,  横山千昭 (東北大 多元物質科研 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究セ)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 38  号： 1  ページ： 31-35  発行年： 2011年04月 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アモノサーマル法で用いる酸性鉱化剤を添加したGaNの溶解度を質量減少法で測定し,塩基性鉱化剤のときと比較検討した。酸性鉱化剤による溶解度は,温度の上昇とともに増加するが,塩基性では,その逆の傾向を示した。さらに,GaNの溶解度に及ぼす圧力,溶媒密度,鉱化剤濃度,ハロゲン種および,鉱化剤混合の影響について,それぞれ,溶解度データを取得し,議論した。

シソーラス用語： *溶液成長 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *溶解度 ,  鉱化剤 ,  添加物効果
準シソーラス用語： *アモノサーマル法

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (12件)：

• POROWSKI, S. J. Cryst. Growth. 1996, 166, 583
• DWILINSKI, R. Acta Phys. Pol. A. 1996, 90, 763
• YAMANE, H. J. Cryst. Growth. 1998, 186, 8
• HASHIMOTO, T. J. Cryst. Growth. 2005, 275, 525
• WANG, B. J. Cryst. Growth. 2006, 287, 376

タイトルに関連する用語 (6件)： 高圧力 ,  結晶成長 ,  超臨界 ,  アンモニア ,  GaN ,  溶解度