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J-GLOBAL ID：201102240013313572   整理番号：11A0791590

窒化ハフニウム電界エミッター配列を用いる真空トランジスタの開発

Development of a vacuum transistor using hafnium nitride field emitter arrays

著者 (5件)： IKEDA Keita (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyotodaigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8510, JPN) ,  OHUE Wataru (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyotodaigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8510, JPN) ,  ENDO Keisuke (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyotodaigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8510, JPN) ,  GOTOH Yasuhito (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyotodaigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8510, JPN) ,  TSUJI Hiroshi (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyotodaigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8510, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29  号： 2  ページ： 02B116  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 信号増幅としての可能性ある応用を研究するために,電界エミッター配列を用いる真空トランジスタを開発した。ゲート付き39460チップの窒化ハフニウム電界エミッター配列(HfN-FEAs)を作製し能動素子として利用する適合性を評価した。真空トランジスタはゲートHfN-FEAとコレクター電極を用いる三極構造をしていた。-58Vのエミッター電圧で1.1mAのコレクター電流,0.27mSのトランスコンダクタンスと2.8MΩのコレクター抵抗(750の電圧増幅因子が生じた)を,素子が示した。この真空トランジスタをベースにした増幅回路を設計し,ac信号の増幅性能を評価した。29dBの電圧利得が100kΩの局所抵抗で得られた。1MHzの利得バンド幅積も得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  窒化物 ,  *電極 ,  配列 ,  *トランジスタ ,  電流 ,  相互コンダクタンス ,  電気抵抗 ,  *増幅器 ,  利得 ,  因子
準シソーラス用語： *窒化ハフニウム ,  *電界エミッタ ,  真空トランジスタ ,  コレクター電流 ,  トランスコンダクタンス ,  コレクター抵抗 ,  増幅回路 ,  電圧増幅因子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化ハフニウム ,  電界エミッター ,  真空 ,  トランジスタ ,  開発