文献

J-GLOBAL ID：201102240807618718   整理番号：11A1074484

N₂雰囲気中のHCl処理後のCl終端Ge(111)表面上のテラスとステップの特性化

Characterization of Terraces and Steps on Cl-Terminated Ge(111) Surfaces After HCl Treatment in N₂ Ambient

著者 (6件)： DEI Katsuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWASE Tatsuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YONEDA Kazufumi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  UCHIKOSHI Junichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORITA Mizuho (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ARIMA Kenta (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 11  号： 4  ページ： 2968-2972  発行年： 2011年04月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代の半導体素子の基板としてGeが期待されている。本研究では,HCl処理後のGe(111)表面構造をX線光電子分光法,原子間力顕微鏡,走査型トンネル顕微鏡により調べた。酸化膜の無いGe表面を得るには不活性ガスによる浄化が必要であることが分かった。Cl終端表面は微視的に粗かったが,テラスとステップから構成された。ステップ端は不規則に走った。テラス上には高さが約0.1nmの多数の原子規模の突起を認め,これらは不純物(炭素や水)であると考えられた。

シソーラス用語： *基板 ,  *ゲルマニウム ,  *表面テラス ,  表面ステップ ,  X線光電子分光法 ,  電子顕微鏡観察 ,  表面処理

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： N2 ,  雰囲気 ,  HCl ,  Cl ,  終端 ,  Ge ,  テラス ,  特性化