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J-GLOBAL ID：201102245294543352   整理番号：11A0637675

透過型電子顕微鏡による観察の間におけるNiOナノ領域に関する電流電圧特性測定

I-V measurement of NiO nanoregion during observation by transmission electron microscopy

著者 (13件)： FUJII Takashi (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN) ,  ARITA Masashi (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN) ,  HAMADA Kouichi (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN) ,  KONDO Hirofumi (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN) ,  KAJI Hiromichi (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN) ,  TAKAHASHI Yasuo (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN) ,  MONIWA Masahiro (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN) ,  FUJIWARA Ichiro (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN) ,  YAMAGUCHI Takeshi (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN) ,  AOKI Masaki (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN) ,  MAENO Yoshinori (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN) ,  KOBAYASHI Toshio (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN) ,  YOSHIMARU Masaki (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 109  号： 5  ページ： 053702  発行年： 2011年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)に対する候補材料であるNiO薄膜について,透過型電子顕微鏡(TEM)による同時観察を用いた伝導測定を行った。ナノスケール実験を行うため,圧電制御TEMホルダを用いた。このホルダに,固定NiO試料と可動Pt-Ir対電極とを取り付けた。NiOに接触するように対電極を移動させた後に,任意の選択ナノ領域での電流電圧特性測定を行った。2Vの電圧印加によって,絶縁性NiO薄膜を低抵抗薄膜に変換できた。この現象は,ReRAMの初期化に必要な「形成過程」であると推論した。対応するTEM像は,幅30~40nmの伝導性架橋を発生するNiO層での構造変化を示した。この発見は,ReRAMによるいわゆる「フィラメントモデル」の作動における「絶縁破壊」型形成を支持した。NiO薄膜での抵抗の不均一性も調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： RAM【メモリ】 ,  *酸化ニッケル ,  磁性薄膜 ,  *電気伝導率 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  ナノ構造 ,  電極 ,  圧電材料 ,  電場効果 ,  変化 ,  不均一性 ,  構造変化 ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： ReRAM

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 透過型電子顕微鏡 ,  観察 ,  NiO ,  電流電圧特性