文献

J-GLOBAL ID：201102245710863400   整理番号：11A1269908

単電子トランジスタのサイドゲートバイアスを用いるダイナミック駆動電流

Dynamic Driving Current Using Side Gate Bias of Single-Electron Transistors

著者 (8件)： LEE Joung-Eob (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Garam (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Kyung-Wan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jung-Han (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Kwon-Chil (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jong-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SHIN Hyungcheol (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 7,Issue 1  ページ： 074101.1-074101.5  発行年： 2011年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的に形成した Coulombアイランドをもつ単電子トランジスタ(SETs)を提案し,サイドウォールパターニングによって埋め込みチャネル構造上に作った。シリコンオンインシュレータ(SOI)ウェーハ上に形成した。量子ドット(QD)を活性表面上の n-ドープした多結晶シリコン(poly-Si)サイドウォールゲートをもつ電気的に誘導したトンネル障壁によって起こす。これらのサイドゲートをもつデバイスは応用回路上で室温動作と発振ピークの制御性の点で有利である。これは Coulombアイランドの寸法と発振のピークをサイドゲートバイアスによって変えられるからである。埋め込みチャンネル構造をもつ製作した SETのサイドゲートへの依存性をデバイスシミュレータによって特性づけた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,  *パターン形成 ,  *SOI構造 ,  構造物 ,  チャネル ,  *量子ドット ,  *ポリシリコン ,  *ゲート【半導体】 ,  ポテンシャル障壁 ,  *シミュレータ
準シソーラス用語： サイドウォールパターニング ,  埋込み構造物 ,  サイドゲート ,  トンネル障壁 ,  デバイスシミュレータ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (25件)：

• 1) K.K. Likharev: Proc. IEEE 87 (1999) 606.
• 2) K.K. Likharev: IEEE Trans. Magn. 23 (1987) 1142.
• 3) C. Thelander, T. M陝rtensson, M.T. Björk, B.J. Ohlsson, M.W. Larsson, L.R. Wallenberg, and L. Samuelson: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2052.
• 4) E. Leobandung, L. Guo, Y. Wang, and S.Y. Chou: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 938.
• 5) Y. Takahashi, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, M. Nagase, and K. Murase: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1213.

タイトルに関連する用語 (3件)： 単電子トランジスタ ,  ゲートバイアス ,  駆動電流