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J-GLOBAL ID：201102245942083460   整理番号：11A1250016

マンドレルに基づくパターン化:15nmノード用密度増倍方法

Mandrel Based Patterning: Density multiplication techniques for 15nm nodes

著者 (14件)： BENCHER Chris (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  DAI Huixiong (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  MIAO Liyan (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  CHEN Yyongmei (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  XU Ping (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  CHEN Yijian (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  OEMARDANI Shiany (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  SWEIS Jason (Cadence Design Systems, Inc., CA, USA) ,  WIAUX Vincent (IMEC, Leuven, BEL) ,  HERMANS Jan (IMEC, Leuven, BEL) ,  CHANG Li-Wen (Stanford Univ., CA, USA) ,  BAO Xinyu (Stanford Univ., CA, USA) ,  YI He (Stanford Univ., CA, USA) ,  WONG H.-S.Philip (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7973  号： Pt.1  ページ： 79730K.1-79730K.10  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長年にわたり,側壁スペーサ2重パターン化が,リソグラフィ(リソ)ロードマップの新基盤として開発されてきた。素子形状の主な生成プロセスとしてリソを用いる代わりに,リソは,諸密度増倍度で後にパターンを模写するマンドレル(心棒)(パターン前)を生成する役割をした。この新基盤下では,諸密度増倍方法の核心が,露光装置自身と同様にスケーリングロードマップに不可欠である。マンドレル(心棒)型とステンシル型パターン化は,リソ分解能により制限されず,プロセスと集積密度増倍方法に依存することにより,超高速ロードマップでスケーリングを可能にする新基盤である。産業界は既に35nmと15nmハーフピッチノードでのNANDアレイパターン化用に自己整合2重パターン化(SADP)を幅広く受け入れてきた。SADP+遠紫外線(EUV)リソ,自己整合3重パターン化(SATP)+浸漬型リソと自己整合4重パターン化(SAQP)+乾式リソの3方法により,15nmハーフピッチNANDへさらにスケーリングする可能性について述べた。さらに,ビア密度増倍と15nmノードバックエンド工程(BEOL)論理配線用へのSADP実現可能性を示した。他の競合するパターン化技術として出現する可能性があるステンシル型パターン化として,直接自己組立の使用について述べた。最後に,EUV+SADPを用いた2次元ポリゲートパターン化の実現により,半導体ロードマップはパターン化能力により脅かされている全てのクレームを撤廃す可能性がある。

シソーラス用語： *マンドレル ,  *パターン形成 ,  ステンシル版 ,  自己整合 ,  側壁 ,  スペーサ ,  *NAND回路 ,  フラッシュメモリ ,  *回路設計 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  半導体プロセス ,  自己集合 ,  経路選定 ,  *フォトリソグラフィー ,  寸法精度 ,  *スケーリング【計数】 ,  ピッチ【機械要素】 ,  通信操作
準シソーラス用語： BEOL ,  EDA ,  EUVリソグラフィー ,  SADP ,  ハーフピッチ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： マンドレル ,  パターン化 ,  ノード ,  密度