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J-GLOBAL ID：201102250856396041   整理番号：11A0912243

高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ-Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput-

ReRAM Test Macro with High Speed Read/Program Circuit-Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput-

著者 (5件)： 筒井敬一 (ソニー) ,  大塚渉 (ソニー) ,  宮田幸児 (ソニー) ,  北川真 (ソニー) ,  対馬朋人 (ソニー)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 6(ICD2011 1-20)  ページ： 13-18  発行年： 2011年04月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 従来型のメモリとしてDRAMとNANDは将来の微細化が困難になることが予想され,微細化に適した次世代メモリの技術開発が行われている。次世代メモリの候補の一つである抵抗変化型メモリReRAMについて,これまで多くのメモリセル材料の特性結果が報告されているが,そのメモリアレイに適した記録再生回路を有するマクロチップの報告は行われていない。本論文では,Cu-Teを導電材料とした層と薄膜の絶縁層からなる2層構造も持つConductive Bridge ReRAMのメモリセルを用いて,高速化を目的とした記録再生回路を含む周辺回路を備えた4Mbitテストマクロチップを試作し,その記録再生速度とデータ信頼性の結果について明らかにした。更に,目的とするアプリケーションへの適応が可能であることも示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *記録再生 ,  *RAM【メモリ】 ,  微細加工 ,  抵抗 ,  記憶素子 ,  導体材料 ,  薄膜 ,  多層構造 ,  高速化 ,  半導体チップ ,  *記憶装置
準シソーラス用語： *ReRAM ,  マクロチップ ,  メモリセル ,  *次世代メモリ ,  *抵抗変化型メモリ ,  導電材料

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (4件)：

• LIN, Y. A Novel TiTe Buffured Cu-GeSb Te/SiO_2 Electrochemical Resistive Memory (ReRAM). Dig. Symp. VLSI Technology, June 2010. 2010, 91-92
• WANG, M. A Novel Cu_xSi_yO Resistive Memory in Logic Technology with Excellent Data Retention Distribution for Embedded Applications. Dig. Symp. VLSI Technology, June 2010. 2010, 89-90
• KAWABATA, S. CoOx-RRAM Memory Cell Technology using Recess Structure for 128Kbits Memory Array. IEEE International Memory Workshop, May 2010. 2010, 60-61
• ARATANI, K. A Novel Resistance Memory with High Scalability and Nanosecond Switching. IEDM Dig. Tech. Papers, Dec. 2007. 2007, 783-786

タイトルに関連する用語 (4件)： 記録再生 ,  ReRAM ,  テスト ,  マクロ