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J-GLOBAL ID：201102251357083209   整理番号：11A1238361

RF反応性不平衡マグネトロンスパッタリングによるCr(N,O)薄膜の作製

Preparation of Cr(N,O) thin films by RF reactive unbalanced magnetron sputtering

著者 (8件)： SHIRAHATA Jun ,  OHORI Tetsutaro ,  ASAMI Hiroki ,  SUZUKI Tsuneo ,  NAKAYAMA Tadachika ,  SUEMATSU Hisayuki ,  NAKAJIMA Yoshiharu ,  NIIHARA Koichi
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 519  号： 11  ページ： 3497-3500  発行年： 2011年03月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波(RF)反応性不平衡マグネトロンスパッタリングにより,種々のO₂流量でSi(100)とガラス状カーボン基板にクロム酸化窒化薄膜を成長した。薄膜の組成はラザフォード後方散乱スペクトルにより分析された。薄膜は44%までの酸素を含むことが見出された。フーリエ変換赤外スペクトルではCrNのCr-N結合によるピークが観察されたが,Cr₂O₃のCr-O結合によるピークは見つからなかった。薄膜の組織は透過電子顕微鏡で観察され,試料は柱状構造を持つことが明らかになった。薄膜の硬度はナノインデンテーションで測定した。酸素濃度を増加することにより硬度は20GPaから最大31GPaまで増加した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *クロム化合物 ,  *窒化物 ,  薄膜成長 ,  Rutherford散乱分光法 ,  FTIR分光法 ,  *酸化物 ,  ナノインデンテーション ,  硬度
準シソーラス用語： *反応性マグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： RF ,  反応性 ,  不平衡 ,  マグネトロンスパッタリング ,  Cr ,  薄膜 ,  作製