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J-GLOBAL ID：201102255889802616   整理番号：11A0926804

漸増ステップ・パルス・プログラミングに基づく雪崩注入とFowler-Nordheim注入の間の金属-酸化物-窒化物-酸化物-シリコン・メモリ・セル中のチャージ重心力学

Dynamics of the Charge Centroid in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Memory Cells during Avalanche Injection and Fowler-Nordheim Injection Based on Incremental-Step-Pulse Programming

著者 (4件)： FUJIKI Jun (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  HAIMOTO Takashi (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  YASUDA Naoki (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA Masato (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 4,Issue 2  ページ： 04DD06.1-04DD06.6  発行年： 2011年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究で,金属-酸化物-窒化物-酸化物-シリコン(MONOS)メモリ・セルのプログラミングの間の過渡チャージ重心力学の正確な解析を実行した。漸増ステップ・パルスプログラミング(ISPP)スキームを使い,プログラミングの間のチャージ重心を正確に,抽出した。さらに,雪崩注入は,低フィールド・キャリア注入を可能にし,アクセスできるトラップ・サイトの確認を簡単にした。また,利用できるトラップのフィールド依存性を研究するのに雪崩注入を用いた 。この解析から,低フィールド・プログラミングの間,MONOSメモリのチャージ重心が,トンネル層/チャージ層界面からチャージ層/ブロック層界面に移動することが分かった。対照的に,高電場プログラミングのFowler-Nordheim(FN)注入を使ったときチャージ重心の位置は,チャージ層/ブロック層界面に限られた。さらに,高電場プログラミングよりこのプログラミングでのより大きいフラットバンドシフトのために低電場プログラミングは,高捕獲効率を成し遂げた。したがって,トラップ・サイト有効性とキャリア捕獲効率を増やすのに低電場プログラミングが望ましい。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電子なだれ ,  注入 ,  *半導体メモリ ,  *電荷 ,  *重心 ,  電場 ,  依存性 ,  キャリア ,  捕獲 ,  効率

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (11件)：

• 1) R. Katsumata, M Kito, Y. Fukuzumi, M. Kido, H. Tanaka, Y Komori, M. Ishiduki, J. Matsunami, T. Fujiwara, Y. Nagata, L Zhang, Y. Iwata, R. Kirisawa, H Aochi, and A. Nitayama: Symp. VLSI Tech Dig , 2009, p. 136.
• 2) S. Fula, N. Yasuda, J. Fujiki, and K Muraoka. Jpn. J Appl. Phys 49 (2010) 04DD06.
• 3) H. Hamamura, T. Ishida, T. Mine, Y Okuyama, D Hisamoto, Y. Shimamoto, S Kimura, and K. Torii: Int Reliability Physics Symp., 2008, p. 412.
• 4) R. Degraeve, M Cho, B. Govoreanu, B. Kaczer, M B. Zahid, G Van den bosch, J. Van Houdt, M Jurczak, and G. Groeseneken Ext Abstr. Solid State Devices and Materials, 2009, p. 150.
• 5) H. -T. Lue, P.-Y Du, S.-Y. Wang, K.-Y. Hsieh, R. Liu, and C -Y. Lu. IEEE Trans. Electron Devices 55 (2008) 2218.

タイトルに関連する用語 (12件)： 漸増 ,  パルス ,  プログラミング ,  雪崩 ,  注入 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  シリコン ,  セル ,  チャージ ,  重心 ,  力学