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J-GLOBAL ID：201102256174746669   整理番号：11A1393842

Au析出n型Si(001)表面におけるSchottky障壁誘起AC表面光起電力

Schottky-Barrier-Induced AC Surface Photovoltages in Au-Precipitated n-Type Si(001) Surfaces

著者 (2件)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Fukushima, JPN) ,  SANADA Yuji (Nihon Univ., Fukushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 8,Issue 1  ページ： 085701.1-085701.5  発行年： 2011年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottky障壁誘起AC表面光起電力(SPV)及び500°CにおけるAuによるSiO₂成長の促進とともに,室温(RT)と500°Cとの間の酸化温度の関数として,SiO₂膜のトップ表面及び/又はSiO₂/Si界面におけるAuクラスタの挙動を研究した。Au汚染水溶液におけるn型Si(001)の洗浄において,析出Au原子は,SiO₂のトップ表面上にクラスタ状Au顆粒として観測された(Au表面濃度,2.3×10¹⁵原子/cm²)。100と500°Cとの間での熱酸化Au汚染n型Si(001)ウエハにおいて,同一形状のAuクラスタも観測した。化学分析は,Auが,SiO₂/Si界面に存在し,100と500°Cとの間,及び室温及びより高い温度の両方においてもAu/n-Si Schottky障壁形AC SPVを生成する証拠を与えた。このことは,Au/n-Si Schottky障壁が,同じ仕方で残ることを示していた。500°Cで熱酸化したAu汚染n-Siにおいて,Au原子の触媒作用は,750と900°Cとの間の高い温度における場合だけでなく,SiO₂成長を促進した。促進成長の機構を提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *表面 ,  熱酸化 ,  *二酸化ケイ素 ,  *金 ,  析出 ,  *光起電力 ,  *成長促進 ,  *界面 ,  *Schottky障壁 ,  クラスタ ,  汚染 ,  顆粒 ,  化学分析
準シソーラス用語： シリコン ,  触媒作用

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

引用文献 (23件)：

• 1) H. C. Gatos and J. Lagowski: J. Vac. Sci. Technol. 10 (1973) 130.
• 2) R. S. Nakhmanson: Solid-State Electron. 18 (1975) 617.
• 3) C. Munakata, S. Nishimatsu, N. Honma, and K. Yagi: Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) 1451.
• 4) C. Munakata and S. Nishimatsu: Jpn. J. Appl. Phys. 25 (1986) 807.
• 5) J. Lagowski, P. Edelman, M. Dexter, and W. Henley: Semicond. Sci. Technol. 7 (1992) A185.

タイトルに関連する用語 (7件)： Au ,  析出 ,  Si ,  Schottky障壁 ,  誘起 ,  Ac ,  表面光起電力