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J-GLOBAL ID：201102257184591422   整理番号：11A0306630

タイプII InAs/GaSb超格子赤外検出器のためのドライエッチングと表面不導態化の技術

Dry etching and surface passivation techniques for type-II InAs/GaSb superlattice infrared detectors

著者 (10件)： TAN Siew Li (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  GOH Yu Ling (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  DAS Sankha Dip (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  ZHANG Shiyong (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  TAN Chee Hing (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  DAVID John P. R. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  GAUTAM Nutan (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  KIM Hasul (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  PLIS Elena (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  KRISHNA Sanjay (Univ. New Mexico, New Mexico, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7838  ページ： 783814.1-783814.8  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タイプII InAs/GaSb超格子を用いる焦点面アレイ(T2SL)は良好な側壁の形成が難しく,デバイスの小型化とともに表面漏れ電流が増加する。そこで,中赤外T2SLフォトダイオードのモルフォロジーと電気特性の改善を目的にして,ICP反応性イオンエッチング(ICP-RIE)のプロセス条件とSU-8エポキシフォトレジストによる不動態化を検討した。GaSb,InAsおよびInAs/GaSbを用いた比較試験を行い,InAs/GaSb T2SLフォトダイオードの場合でも良好な側壁プロフィルと暗電流が得られるエッチング条件を明らかにした。

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  *超格子 ,  *ヒ化インジウム ,  アンチモン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *ドライエッチング ,  *不動態化 ,  フォトダイオード ,  赤外線 ,  光検出器アレイ ,  誘導結合プラズマ ,  *RIE【エッチング】 ,  モルフォロジー ,  側壁 ,  漏れ電流 ,  フォトレジスト ,  表面粗さ ,  暗電流 ,  加工条件
準シソーラス用語： SU-8 ,  焦点面アレイセンサ ,  中赤外線

分類 (3件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： タイプ ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  赤外検出器 ,  ドライエッチング