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J-GLOBAL ID：201102258086441311   整理番号：11A0401301

フルオロカーボンに基づくプラズマ中の誘電体エッチング後の金属ハードマスク上の残留物成長 II 対策

Residue growth on metallic hard mask after dielectric etching in fluorocarbon based plasmas. II. Solutions

著者 (9件)： POSSEME N. (CEA-LETI-Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA) ,  BOUYSSOU R. (LTM-CNRS/UJF/INPG (CEA-LETI-MINATEC), 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA) ,  CHEVOLLEAU T. (LTM-CNRS/UJF/INPG (CEA-LETI-MINATEC), 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA) ,  DAVID T. (CEA-LETI-Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA) ,  ARNAL V. (Central R&D, STMicroelectronics, 850 Rue J. Monnet, 38926 Crolles Cedex, FRA) ,  DARNON M. (LTM-CNRS/UJF/INPG (CEA-LETI-MINATEC), 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA) ,  BRUN Ph. (CEA-LETI-Minatec, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA) ,  VEROVE C. (Central R&D, STMicroelectronics, 850 Rue J. Monnet, 38926 Crolles Cedex, FRA) ,  JOUBERT O. (LTM-CNRS/UJF/INPG (CEA-LETI-MINATEC), 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 09, FRA)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29  号： 1  ページ： 011018  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ハードマスクアーキテクチャは先端的なバックエンドオブライン相互接続技術ノードに対する選択的統合になる。しかし,統合の主な問題の一つは誘電体エッチング後の残留物(チタン系化合物)の成長である。本論文では,残留物形成を防ぐために水素,酸素,メタンに基づくプラズマなどの様々なその場エッチング後プラズマ処理の効率を調べた。多孔質SiOCH誘電体(プラズマ増強化学蒸着で堆積させた空隙率25%,k=2.5)とのトレンチファーストハードマスク統合を用いたC045デュアルダマシン水準の技術に対して,これらのプラズマ処理の効率を実証した。これらは1日の空気曝露後に歩留りを大きく向上させた。ブランケット窒化チタンウエハ上で行った相補X線光電子分光法分析は,酸素又は水素系プラズマが窒化チタン層上部の弗素種集中を排除して残留物形成の動力学に作用することを明らかにした。一方,メタン系化学では,窒化チタン層上部の炭素及び窒素系不動態化層の形成は空気水分との反応を防ぎ,従って残留物の無い表面が得られる。また,残留物成長を制限する効率はフルオロカーボンエッチング工程の条件に無関係であるので,メタン系その場エッチング後処理は調べた全ての化学よりも優れた効率を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *脂肪族フッ素化合物 ,  エッチング ,  *マスク ,  *残留物 ,  プラズマ処理 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  X線光電子分光法 ,  不動態化 ,  誘電体 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *フルオロカーボン ,  *ハードマスク ,  窒化チタン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： フルオロカーボン ,  プラズマ ,  誘電体 ,  エッチング ,  ハードマスク ,  残留物 ,  成長 ,  対策