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J-GLOBAL ID：201102262696199633   整理番号：11A1769245

GaN-FETの高効率駆動技術とそのパワーコンバータへの適用

High Efficiency Drive Technique suitable for GaN-FET and Its Applications for Power Converter

著者 (3件)： 山本真義 (島根大) ,  野崎優 (島根大) ,  町田修 (サンケン電気)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-11  号： 50-65  ページ： 47-50  発行年： 2011年10月27日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 逆並列ダイオード使用時におけるGaN-FETの問題点を指摘し,ノーマリオフ型GaN-FETが持つ特異な電流電圧特性によるパワーコンバータ適用時における損失増加を抑制する新しいアクティブ放電型ゲート駆動回路を提案し,その基本動作と実機動作を示した。また,この駆動回路とGaN-FETのシステムを共振型コンバータに適用した実験結果を示し,効率改善の点からの有効性を検証した。

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電力変換器 ,  駆動 ,  始動 ,  電流電圧特性 ,  電気損失 ,  共振形コンバータ ,  電力効率 ,  ゲート回路

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• (1) 引田他:「GaN パワーデバイス」, Panasonic Technical Journal, p.p.21-25, Vol.55, No.2, (2009)
• (2) 野崎他:「単相PFCボードにおけるGaNデバイスの実装評価」, 平成23年電気学会産業応用部門大会, Vol.1, p.p.525-526(2011)
• (3) 町田也:「高耐圧AIGaN/GaN-FETのPFC回路評価」, 平成19年電気学会全国大会講演論文集, p.p.11-12, Vol.4, (2007)
• (4) 金子他:「ノーマリオフ型GaN FETの開発」, サンケン技報p.p.19-22, Vol, 40, (2008)
• (5) 渡邊他:「高周波パワーデバイスを電力変換回路に用いた場合の回路パラメータ設計に関する基礎検討」, 電気学会半導体電力変換研究会, SPC-10-144, p.p.27-32, (2010)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  FET ,  高効率 ,  パワーコンバータ