文献

J-GLOBAL ID：200902221620917328   整理番号：08A1253830

ノーマリオフ型GaN FETの開発

Development of Normally-off GaN FETs

著者 (2件)： 金子信男 (サンケン電気) ,  町田修 (サンケン電気)
資料名： サンケン技報  (Sanken Technical Report)
巻： 40  ページ： 19-22  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： S0481A  ISSN： 0285-9815  CODEN： STEQDU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代高出力スイッチングデバイスとして期待されているGaN FETにはノーマリオフ動作が求められている。従来はノーマリオン型GaN FETと低耐圧Si MOS FETをカスコード接続することでノーマリオフ特性を得ていたが,今回,GaN FETのゲート電極下にリセスを形成し,かつ,ゲート電極にp型酸化物であるNiOxを用いることで,GaN FET単体で閾値電圧が約+1.0Vのノーマリオフ動作を実現した。本ゲート構造を適用したゲート電極幅157mmの大電流動作GaN FETにおいて,破壊耐圧800V以上,オン抵抗72mΩを得た。このノーマリオフ型GaN FETとGaN SBDを搭載したインバータは,従来のIGBTインバータと比較して,高効率な特性を示すことを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *窒化ガリウム ,  効率 ,  *スイッチング素子
準シソーラス用語： ノーマリオフ ,  高効率

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (4件)：

• 柳原, 馬場: サンケン技報, vol.38, no.1, p35-38,(2006. 12)
• S. Iwakami et al: Jpn. J. Appl. Phys., Vol.46, No.24, pp. L587-L589,(2007)
• S. Iwakami et al: Jpn. J. Appl. Phys., Vol.46, No.29, pp. L721-L723,(2007)
• 猪澤, 町田: サンケン技報, vol.39, p43-46,(2007. 12)

タイトルに関連する用語 (4件)： マリ ,  GaN ,  FET ,  開発