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J-GLOBAL ID：201002291006606072   整理番号：10A1611658

高周波パワーデバイスを電力変換回路に用いた場合の回路パラメータ設計に関する基礎検討

Basic Investigation of the Circuit Parameters Design in a Power Converter Circuit using High Frequency Power Devices.

著者 (3件)： 渡邊健太 (長岡技科大) ,  宮脇慧 (長岡技科大) ,  伊東淳一 (長岡技科大)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-10  号： 83-89.91-98  ページ： 27-32  発行年： 2010年11月29日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高周波駆動が可能なパワー半導体デバイスとしてGaNを想定し,GaN-FETを電力変換回路に適用した場合の回路パラメータの設計に関する基礎的検討を行った。検討対象は,駆動回路と主回路である。前者に関しては,GaN-FETを駆動した場合のパラメータ設計を行った。設計に当たっては,駆動回路が消費する電力とGaN-FETのスイッチング損失を低減するよう配慮した。また,後者に関しては,新型デバイスを実装する際,新型デバイスのゲート閾値電圧が低いため,電位変動によりゲートが誤点弧,誤消弧しないよう回路の寄生パラメータの解析を行う必要があり,これを実機試験と回路解析に基づき,回路の寄生パラメータが電位変動に及ぼす影響について考察した。これらの結果を基に,高周波動作時のパラメータの設計指標を決定した。

シソーラス用語： 電力トランジスタ ,  *電力変換器 ,  回路定数 ,  回路解析 ,  回路設計 ,  窒化ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  駆動回路 ,  消費電力 ,  スイッチング損失 ,  点弧制御 ,  主回路 ,  *電源回路
準シソーラス用語： *電力変換回路 ,  パラメータ設計 ,  寄生要素

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (7件)：

• M. Kamaga, K. Sung and H. Ohashi:“A Study on Switching Frequency Limitation in Combination of Si-IGBT and SiC-SBD”, IEEJ Trans., Vol.128-D, No.5, pp. 569-576(2008)
• H. Sheng, Y. Pei and W. Fred:“Impact of Resonant Tank Structures on Transformer Size for a High Power Density Isolated Resonant Converter”, Power Electronics Specialists Conference, 2008, Vol.7, pp. 2975-2981(2008)
• 荒井和雄・吉田貞史共編:“SiC素子の基礎と応用”, オーム社 (2003)
• K. Takao, T. Yatsuo and K. Arai:“High di/dt Switching Characteristics of a SiC Schottky Barrier Diode”, IEEJ Trans., Vol.124-D, No.9, pp. 917-923(2004)
• J. Wang, X. Zhou, J. Li, T. Zhao, A. Q. Huang, R. Callanan, F. Husna and A. Agarwal:“10-kV SiC MOSFET-Based Boost Converter”, IEEE Trans. on Industry Applications, Vol.45, No.6, pp. 2056-2063(2009)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  パワーデバイス ,  電力変換回路 ,  回路パラメータ ,  設計 ,  基礎