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J-GLOBAL ID：201102264217406975   整理番号：11A0183014

インプラントされたルミネッセンス性Siナノ結晶の最初の形成過程に及ぼすエキシマUV光照射の効果

Excimer UV-Light Irradiation Effects on the Initial Formation Process of Implanted Luminescent Si Nanocrystals

著者 (5件)： IWAYAMA T. S. (Aichi Univ. Education, Aichi, JPN) ,  WATANABE H. (Aichi Univ. Education, Aichi, JPN) ,  FUKAYA S. (Aichi Univ. Education, Aichi, JPN) ,  HAMA T. (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  E. Hole D. (Univ. Sussex, Brighton, GBR)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 35  号： 4  ページ： 765-768  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p⁺型Siウエハーの上に成長した,酸化したSiエピタキシアル層(10μm)に,180keV,7.5x10¹⁶イオン/cm²,15μA/cm²の条件でSi⁺イオンを注入し,その後N₂雰囲気中で900°Cもしくは1050°Cで4h焼鈍した。一部の試料では上記のイオン注入に先立ち真空中,172nm,7.2eV,50mW/cm²の条件の紫外線の2hの照射,および/もしくは,50°C/secの昇温速度でのN₂雰囲気での5分間の急速熱焼鈍の前処理を行い,これらの前処理の,当該試料の光ルミネッセンスへの影響を検討した。これらの処理は光ルミネセンスの増強に有効で,熱処理は1000°C以下でも効果があった。その理由を説明した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *イオン注入 ,  *ケイ素 ,  金属イオン ,  酸化ケイ素 ,  エピタクシー ,  *ナノ結晶 ,  エキシマ ,  *紫外線照射 ,  *RTA【熱処理】 ,  放電ランプ ,  *光ルミネセンス ,  焼なまし
準シソーラス用語： *Siウエハ ,  アニール ,  エキシマランプ ,  エピタキシャル ,  紫外光照射

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (25件)：

• L. T. Canham, Appl. Phys. Lett., 57, 1046(1990).
• V. Lehmann, U. Gösele, Appl. Phys. Lett., 58, 856(1991).
• L. Brus, Light emission in silicon from physics to devices, D. Lockwood (Ed.), Academic Press, New York,(1998) p.303.
• S. Ossicini, Light emitting silicon for microphotonics, S. Ossicini, L. Pavesi, F. Priolo (Ed.), Springer, Berlin (2003) p.123.
• G. T. Reed and A. P. Knights (Ed.), Silicon Photonics, Wiley-Interscience (2008).

タイトルに関連する用語 (7件)： インプラント ,  ルミネッセンス ,  Si ,  ナノ結晶 ,  形成過程 ,  エキシマ ,  UV光