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J-GLOBAL ID：201102264749235249   整理番号：11A1499012

大きな温度差の下におけるSb-およびAl-添加n型Mg₂Siデバイスの熱電的挙動

Thermoelectric Behavior of Sb- and Al-Doped n-Type Mg₂Si Device Under Large Temperature Differences

著者 (7件)： SAKAMOTO Tatsuya (Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN) ,  IIDA Tsutomu (Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN) ,  KUROSAKI Shota (Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN) ,  YANO Kenji (Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN) ,  TAGUCHI Hirohisa (Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN) ,  NISHIO Keishi (Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN) ,  TAKANASHI Yoshifumi (Tokyo Univ. of Sci., Dep. of Materials Sci. and Technol., 2641 Yamazaki, Noda-shi, 278-8510, Chiba, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 40  号： 5  ページ： 629-634  発行年： 2011年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶融した市販のドープした多結晶Mg₂Siから生成した材料を用いて作成したSb-およびAl-添加n型Mg₂Si要素デバイスの熱電(TE)特性を調べた。TEデバイスを,プラズマ活性化焼結(PAS)技術を用いて作成した。デバイスを完成するために,焼結中に,Ni電極をその各端部に作成した。大きな温度差に対して耐久性のあるデバイスを実現するために,Sb-添加Mg₂Si(Sb-Mg₂Si)を高温に曝し,Al添加Mg₂Si(Al-Mg₂Si)を低温に曝した。デバイスは,Sb-Mg₂Si:Al-Mg₂Siが,4:1,1:1,および1:4の分割比の大きさをもつSb-Mg₂SおよびAl-Mg₂Siの部分から構成した。Sb-Mg₂Siのみからなるデバイス試料は,1000時間のエージング後にも目立った劣化は示さなかったが,Sb-Mg₂Si:Al-Mg₂Siが1:1,1:4の分割比などのいくつかの場合は,大きな温度差(ΔT)範囲において出力電流がかなりの低下する影響を受けた。Sb-Mg₂Si:Al-Mg₂Siが1:1および1:4で,寸法が2mm×2mm×10mmの試料により生成した出力の測定値は,高温873Kおよび低温373Kで,それそれ50.7mWおよび49.5mWであった。Sb-Mg₂Siのみからなる試料に対して,55mWの出力を実証した。同じΔT範囲に対する1000hまでのエージング試験により,~3%と20%の間の出力における低下を示した。Copyright 2011 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 温度分布 ,  アンチモン ,  アルミニウム ,  多結晶 ,  添加 ,  ドーピング ,  *放電焼結 ,  半導体素子 ,  放電プラズマ焼結 ,  *ケイ化マグネシウム ,  *温度差
準シソーラス用語： Ni電極 ,  デバイス ,  プラズマ焼結 ,  *熱電特性

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 温度差 ,  Sb ,  Al ,  挙動