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J-GLOBAL ID：201102266818034920   整理番号：11A1491808

ドライエッチしたGaNおよびAlGaN表面の評価と制御

著者 (4件)： 谷田部然冶 (北大 量集セ) ,  東石直樹 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.31P-A-5  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *ドライエッチング ,  *表面 ,  X線光電子分光法 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： XPS法 ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： エッチ ,  GaN ,  AlGaN ,  評価