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J-GLOBAL ID：201102269206946015   整理番号：11A1437267

p型Ge/Ge_1-xSi_xから成る量子井戸ヘテロ構造における不純物光伝導の緩和

Relaxation of the impurity photoconductivity in p-Ge/Ge_1-xSi_x quantum well heterostructures

著者 (9件)： MOROZOV S V (Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  GAVRILENKO L V (Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  EROFEEVA I V (Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  ANTONOV A V (Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  MAREMYANIN K V (Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  YABLONSKIY A N (Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  KURITSIN D I (Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  ORLOVA E E (Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  GAVRILENKO V I (Inst. Physics of Microstructures, Russian Acad. Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 26  号： 8  ページ： 085009,1-6  発行年： 2011年08月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の研究の結果を報告する。歪みを持つGe/GeSiのヘテロ構造において,パルスTHz光によって励起された不純物光伝導の緩和時間は,電場の印加によって増大することを初めて観測した。この効果はキャリアの不純物中心によるカスケード捕獲のモデルによって説明される。不純物のブレークダウン電圧に近い電場が印加されると,第二段階の時間スケールの緩和が観測されることが分かった。また,ブレークダウン後に電場が印加された場合,緩和時間は再結合よりも衝突イオン化によって支配されることが分かった。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  半導体 ,  *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  不純物中心 ,  *光伝導 ,  キャリア捕獲 ,  電圧 ,  緩和時間 ,  衝突イオン化 ,  *ケイ化ゲルマニウム ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： ブレークダウン電圧

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  不純物 ,  光伝導 ,  緩和