文献

J-GLOBAL ID：201102269280055815   整理番号：11A0467217

3値状態トランスファ傾斜とバリスティック電界効果振舞いを有する2チャネルトランジスタ(DCT)における積み重ね電界効果トランジスタ集積

Stacked field effect transistor integration in double channel transistors (DCT) with tri-state transfer slope and ballistic field effect behavior

著者 (1件)： WIRBELEIT F. (GLOBALFOUNDRIES, NY, USA)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 87  号： 12  ページ： 2456-2462  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (11件)： 3値 ,  バリ ,  スティック ,  電界効果 ,  振舞い ,  2チャネル ,  トランジスタ ,  DCT ,  積み重ね ,  電界効果トランジスタ ,  集積