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J-GLOBAL ID：201102272411221547   整理番号：11A0143317

AlN基板上の高濃度アルミニウム組成を持つAlGaNチャンネル高電子移動度トランジスタ

High Al Composition AlGaN-Channel High-Electron-Mobility Transistor on AlN Substrate

著者 (7件)： TOKUDA Hirokuni (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  HATANO Maiko (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  YAFUNE Norimasa (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  HASHIMOTO Shin (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  AKITA Katsushi (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  YAMAMOTO Yoshiyuki (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 12  ページ： 121003.1-121003.3  発行年： 2010年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.51の高濃度アルミニウム組成を持つAlGaNチャンネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発した。結晶品質を改善するためにエピタキシャル層を自立AlN基板上に作成した。作成した素子は25.2mA/mmの最大ドレイン電流(I_dsmax)と4.7mS/mmの最大相互コンダクタンスを示した。この素子の特徴は1800Vという高いソースドレイン破壊電圧と順方向における4Vの高いゲートソース電圧を持つことである。DC特性の温度依存性から,従来のAlGaN/GaN HEMTと比べてAlGaNチャンネルHEMTに対するドレイン電流の劣化は非常に小さいことが分かった。本研究は,0.5以上の高濃度アルミニウム組成を持つAlGaNチャンネルHEMTの直流動作に成功した初めての報告である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  アルミニウム ,  *半導体材料 ,  *HEMT ,  相互コンダクタンス ,  電流 ,  エピタクシー ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *AlGaN ,  エピタキシャル ,  ドレイン電流 ,  高電子移動度トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• WU, Y. F. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 117
• CHUNG, J. W. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 195
• JEON, C. M. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 120
• LIU, J. IEDM Tech. Dig., 2004. 2004, 811
• LIU, J. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 145

タイトルに関連する用語 (7件)： AlN ,  高濃度 ,  アルミニウム ,  組成 ,  AlGaN ,  チャンネル ,  高電子移動度トランジスタ