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J-GLOBAL ID：201102272699197700   整理番号：11A0543708

高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたSRAM不良ビットの直接観察及びメカニズム解明

Direct Visualization of Anomalous-Phosphorus Diffusion in Failure-Bit Gates of SRAM-Load pMOSFETs With High-Resolution Scanning Spreading Resistance Microscopy

著者 (9件)： ZHANG Li (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HARA Keiryo (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KINOSHITA Atsuhiro (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HASHIMOTO Tsuneyuki (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HAYASE Youhei (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KURIHARA Michio (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HAGISHIMA Daisuke (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ISHIKAWA Takayuki (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKENO Shiro (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 406(SDM2010 204-215)  ページ： 29-33  発行年： 2011年01月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,LSIデバイスの微細化に伴い,プロセス制御の困難さが増し,高精度・高分解能・高次元分析技術への要求が高まっている。これまではナノデバイスの性能を左右するキャリア濃度の2次元分布を高分解能(1mm)且つ特定箇所解析可能な走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)を開発してきた。今回,高精度及び特定箇所計測可能なSSRM技術開発に成功した。実回路において,極薄(60nm)故障素子の内部キャリア分布直接観察に成功し,ポリゲート中のリンドーパント異常拡散に起因する不良モードおよびメカニズムを突き止め,さらには不純物ドーピング条件の最適化による歩留まり向上に繋げた。SSRMの微細素子における故障解析技術としてのポテンシャルを示す。SSRM技術は「見る」ことに留まらず,故障解析や信頼性向上,そしてメカニズム解明へ発展し,先端LSIデバイス開発の加速に貢献していくことが期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： 顕微鏡 ,  *SRAM ,  ビット ,  欠陥 ,  *LSI【IC】 ,  *信頼性 ,  *半導体プロセス ,  精度 ,  モード ,  微細加工 ,  ドーパント ,  キャリア
準シソーラス用語： SSRM ,  拡がり抵抗顕微鏡 ,  不良ビット ,  不良モード

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (5件)：

• IKEDA, S. IEEE Trans. Electron Dev. 2003, 50, 1270
• ZHANG, L. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 192103
• ZHANG, L. Electron Device Letters. 2008, 29, 799
• ZHANG, L. IEDM Tech. Dig., 2009. 2009, 35-38
• ZHANG, L. IEDM Tech. Dig., 2010. 2010, 804-807

タイトルに関連する用語 (5件)： 拡がり ,  顕微鏡 ,  SRAM ,  ビット ,  メカニズム