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J-GLOBAL ID：201102273145667417   整理番号：11A1050672

メムリスティックスイッチングの固有の機構

Intrinsic Mechanisms of Memristive Switching

著者 (10件)： NAGASHIMA Kazuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YANAGIDA Takeshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YANAGIDA Takeshi (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  OKA Keisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANAI Masaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KLAMCHUEN Annop (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIM Jin-Soo (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Bae Ho (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  KAWAI Tomoji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAI Tomoji (Konkuk Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 11  号： 5  ページ： 2114-2118  発行年： 2011年05月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代不揮発性メモリとして有望な,ReRAMまたはメムリスタのMOMサンドイッチ構造の抵抗スイッチング機構の理解を目的として,P型コバルト酸化物におけるバイポーラ抵抗スイッチングの電気特性を研究した。MgOコアと酸化コバルトシェルからなるコバルト酸化物ナノワイヤをテンプレート法とVLS成長によって作製した。平面FET構造の利用と多探針測定によって,単一コバルト酸化物ナノワイヤのナノスケールの抵抗スイッチングがP型伝導経路内のレドックス反応によって起きることが分かった。これは広く受け入れられている空格子点に基づくモデルとは対比的である。

シソーラス用語： RAM【メモリ】 ,  *半導体素子 ,  *不揮発性メモリ ,  *スイッチング ,  *酸化コバルト ,  *ナノワイヤ ,  酸化マグネシウム ,  構造 ,  P型半導体 ,  酸化還元反応 ,  *MSM構造 ,  電流電圧特性 ,  コアシェル構造 ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： ReRAM ,  *メムリスタ

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： 固有