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J-GLOBAL ID：201102274531363747   整理番号：11A0500210

Ge凝縮法により作製した(110)配向ゲルマニウム・オン・インシュレータp型金属酸化物半導体型電界効果トランジスタの正孔移動度のチャンネル方向,有効電場,温度依存性

Channel direction, effective field, and temperature dependencies of hole mobility in (110)-oriented Ge-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by Ge condensation technique

著者 (5件)： DISSANAYAKE Sanjeewa (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  ZHAO Yi (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  SUGAHARA S. (Tokyo Inst. of Technol., Nagatsuta, Kanagawa 226 8503, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 109  号： 3  ページ： 033709  発行年： 2011年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge凝縮法により作製した(110)配向した厚み12nmの蓄積モードゲルマニウム・オン・インシュレータ(GOI)pチャンネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(pMOSFET)のチャンネル方向(θ),有効電場(E_eff),温度(T)依存性を実験により調べた。(110)配向GOI表面上の正孔移動度は〈100〉方向から〈110〉方向に傾斜したチャンネル方向と共に増大し,(100)配向した通常のGOI表面と対照的であった。低温測定により,〈110〉方向に沿った(110)配向GOI表面の抽出したフォノン制限移動度(μ_ph)は(100)配向GOI表面とSi表面に対して全てのTでそれぞれ2.1及び7.1の増強を占める。本解析への物理学的洞察を通して,T^-1.8へのμ_ph依存性は低T及びSiにおける谷間フォノン散乱の抑制を示唆する。また,μ_phはE_effと共に増大することが分かり,これは(110)配向Ge上の正孔移動度の固有の性質であると看做される。移動度の定義に基づくさらなる解析によると,有効質量は(110)配向GOI pMOSFET上の移動度異方性の優位な因子であり得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  P型半導体 ,  素子構造 ,  優先配向 ,  フォノン ,  ケイ素 ,  *電場 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *正孔移動度 ,  GOI構造 ,  *有効電場

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ge ,  凝縮 ,  作製 ,  配向 ,  金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ ,  正孔移動度 ,  チャンネル ,  電場 ,  温度依存性