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J-GLOBAL ID：201102276235517022   整理番号：11A0908654

高純度II型シリコンクラスレートの合成

著者 (13件)： 小倉拓也 ,  鈴木敬俊 ,  馬場達也 ,  纐纈隆造 ,  姫野呂人 ,  大橋史隆 ,  伴隆幸 ,  大矢豊 ,  久米徹二 ,  夏原大宗 ,  野々村修一 ,  飯田民夫 ,  羽淵仁恵
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 91st  号： 3  ページ： 1055  発行年： 2011年03月11日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンクラスレートのなかでもSi組成のII型クラスレートは,結晶Siより大きなバンドギャップをもつため,太陽電池への応用が期待されている。II型Siクラスレートは,NaSiから真空中アニールでNaを取り除くことで合成されるが,この方法では,結晶SiやI型クラスレートが混在してしまう。そこで本研究では,高い真空度を維持しながら真空アニールすることで,94%の高い純度のII型Siクラスレートを合成した。(著者抄録)

シソーラス用語： 化学合成 ,  分子構造 ,  *包接化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  バンドギャップ ,  太陽電池 ,  高純度物質 ,  かご効果 ,  熱処理 ,  X線回折 ,  ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： *クラスレート化合物 ,  ワイドバンドギャップ半導体

分類 (1件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高純度 ,  シリコンクラスレート