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J-GLOBAL ID：201102277873149843   整理番号：11A0859961

ナノ結晶シリコンを基本とするメモリ素子における書込み/消去の繰り返し操作の過程におけるトラップ発生の解析

Analysis of trap generation during programming/erasing cycling in silicon nanocrystal memory devices

著者 (7件)： YANG Xiaonan (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Yong (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHAN Manhong (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  HUO Zongliang (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Qin (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LONG Shibing (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Ming (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 26  号： 4  ページ： 045011,1-6  発行年： 2011年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノ結晶(Si-NC)を基本とするメモリ素子における書込み/消去(P/E)の繰り返し操作の過程におけるトラップの発生を,容量-電圧(C-V)および電流-電圧(I-V)測定に基づいて解析した結果を報告する。P/Eサイクルの数が増すと,蓄積層内における正孔のトラッピングによってフラットバンド電圧は減少し,反転層内における電子トラッピングによって閾電圧が増大することが分かった。正孔および電子のトラッピング量は,書き込みおよび消去に関するFowler-Nordheim(FM)のバイアス条件に依存することが分かった。I-V測定から,シリコンのミドギャップ電圧近傍に電流スパイクが観測され,これはトンネル酸化物中にトラッピングされた正孔と真性Fermi準位の直上に位置するアクセプタの界面状態からのトンネル電子との再結合に起因することが分かった。更に,強い反転領域では,電子トラッピングに関係するストレス誘起の漏洩電流も観測され,その大きさは書き込み,あるいは消去電圧の増大に伴って増加することが分かった。得られた結果はSi-NCを基本とするメモリ素子の耐久性の更なる改善に役立つものと考えられる。

シソーラス用語： ナノ結晶 ,  ケイ素 ,  半導体 ,  *記憶素子 ,  *データ書込 ,  *データ消去 ,  *繰返し試験 ,  キャリア捕獲 ,  捕獲中心 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  蓄積層 ,  反転層 ,  電圧 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  酸化膜 ,  Fermi準位 ,  漏れ電流 ,  耐久性
準シソーラス用語： 閾電圧

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノ結晶シリコン ,  メモリ素子 ,  書込み ,  消去 ,  過程 ,  トラップ ,  解析