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J-GLOBAL ID：201102281353501886   整理番号：11A0401362

原子層堆積によって成長させたSrTiO₃ベースの金属-絶縁体-金属コンデンサの電気的特性への前駆体化学と成長温度との影響

Influence of precursor chemistry and growth temperature on the electrical properties of SrTiO₃-based metal-insulator-metal capacitors grown by atomic layer deposition

著者 (11件)： GARCIA H. (Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP) ,  CASTAN H. (Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP) ,  GOMEZ A. (Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP) ,  DUENAS S. (Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP) ,  BAILON L. (Departamento de Electricidad y Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Univ. of Valladolid, 47011 Valladolid, ESP) ,  KUKLI K. (Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN) ,  KARINIEMI M. (Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN) ,  KEMELL M. (Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN) ,  NIINISTOE J. (Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN) ,  RITALA M. (Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN) ,  LESKELAE M. (Dep. of Chemistry, Univ. of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, FIN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29  号： 1  ページ： 01AC04  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrTiO₃薄膜を,ストロンチウムとチタンの前駆体としてSr(ⁱPr₃Cp)₂と(CpMe₅)Ti(OMe)₃を用いて,原子層堆積により,250°Cと300°Cで,18~30nmの範囲の厚さまで成長させた。酸素前駆体としては,水またはオゾンを用いた。これら薄膜は,堆積直後の状態では非晶質であったが,650°Cでの焼きなまし後,立方晶SrTiO₃として結晶化した。最も高い誘電率値60~65を,300°Cでオゾンを用いて堆積した薄膜で達成した。250°Cで成長した薄膜は,300°Cで成長した薄膜より著しく低い漏れ電流を有する傾向を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MIM構造 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *化学蒸着 ,  前駆体 ,  超薄膜 ,  非晶質 ,  焼なまし ,  結晶化 ,  立方晶系 ,  誘電率 ,  容量電圧特性 ,  周波数依存性 ,  温度依存性 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  コンデンサ ,  漏れ電流 ,  電流電圧特性 ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： *原子層堆積

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積 ,  成長 ,  絶縁体 ,  コンデンサ ,  電気的特性 ,  前駆体 ,  化学 ,  成長温度