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J-GLOBAL ID：201102282055962419   整理番号：11A1155601

マイクロ波励起表面波プラズマ半導体処理装置の数値解析コードにおけるプラズマ電子密度分布の計算も含めた解析スキームの検討

Numerical Simulation Code for Microwave Excited Surface Wave Plasma Semi-conductor Process

著者 (4件)： 畑口雅人 (旭川工高専) ,  西川崇之 (沖電気工業) ,  川口秀樹 (室蘭工大) ,  鏡愼 (室蘭工大)
資料名： 日本AEM学会誌  (Journal of the Japan Society of Applied Electromagnetics and Mechanics)
巻： 19  号： 2  ページ： 348-353  発行年： 2011年06月10日 
JST資料番号： L2703A  ISSN： 0919-4452  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マイクロ波励起表面波プラズマ半導体処理装置の開発が行われている。これまで,このような装置の設計においては,設計者の知識と経験に頼り,試行錯誤的に表面波プラズマ分布を発生させる装置サイズが決定されていた。筆者等は,装置内部で発生しているマイクロ波プラズマが結合した現象を把握し,適切な装置形状の設計を行うために,FDTD法を用いて数値解析コードの開発を行ってきた。本研究では,プラズマの電子密度分布もあらかじめ設定することなしに,シミュレーションの中で決定しながら装置を設計する方法の検討を行った。その結果,実験結果とよい一致が得られ,ある程度広く使用可能であると考えた。しかし,あらかじめある程度プラズマ領域を設定した計算にとどまっているなどの課題も残った。

シソーラス用語： プラズマ ,  マイクロ波 ,  表面波 ,  *半導体プロセス ,  生産設備 ,  有限差分時間領域法 ,  密度分布 ,  *電子密度 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： FDTD法 ,  *マイクロ波プラズマ ,  装置設計 ,  電子密度分布 ,  半導体製造装置 ,  表面波プラズマ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

引用文献 (8件)：

• FURUKAWA, M. Jpn. J. Appl. Phys, Part 2. 1998, 37, 8B, L1005-L1007
• SHINAGAWA, K. Jpn. J. Appl. Phys, Part 1. 2001, 40, 10, 5856-5680
• OKAMURA, Y. J. Vacuum Sci. and Technology A. 2007, 25, 4, 816-823
• 三芦. 電子情報通信学会技術研究報告. 2006, 106, 186, 175-180
• KAGAMI, S. Digest of 16th Int. Conf. on the Computation of Electromagnetic Fields, 2007. 2007

タイトルに関連する用語 (10件)： マイクロ波 ,  励起 ,  表面波プラズマ ,  半導体処理装置 ,  数値解析 ,  プラズマ ,  電子密度分布 ,  計算 ,  解析 ,  スキーム