文献

J-GLOBAL ID：201102283210041658   整理番号：11A1122237

光電気化学エッチングによる静電駆動単結晶4H-SiC橋構造の作製

Fabrication of Electrostatic-actuated Single-crystalline 4H-SiC Bridge Structures by Photoelectrochemical Etching

著者 (3件)： WATANABE Naoki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7926  ページ： 79260B.1-79260B.6  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小型機械構造の集積要素としてMEMSへの関心が高い。過酷な環境で動作させるMEMSの構造材料には珪素は利用できない。本研究では,単結晶炭化珪素(SiC)からなる静電駆動する懸垂架橋構造を作製した。構造は全てホモエピタクシーで成長させた単結晶4H-SiCからなる。懸垂架橋と基底板の電気絶縁は多重イオン注入により形成したPNP接合に基づく。反応性イオンエッチング(RIE)とドーピング選択光電気化学(PEC)エッチングを組合せて構造を作製した。

シソーラス用語： エッチング ,  電気化学 ,  *炭化ケイ素 ,  *MEMS ,  *駆動 ,  静電気 ,  マイクロマシニング ,  イオン注入 ,  PNP接合 ,  エピタクシー ,  RIE【エッチング】
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  光電気化学エッチング ,  *静電駆動

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光電気化学エッチング ,  静電駆動 ,  単結晶 ,  4H-SiC ,  作製