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J-GLOBAL ID：201102284201459670   整理番号：11A0401361

将来の高kダイナミックランダムアクセスメモリ誘電体の原子スケールエンジニアリング BaHfO₃でのTiによる部分的なHf置換の例

Atomic-scale engineering of future high-k dynamic random access memory dielectrics: The example of partial Hf substitution by Ti in BaHfO₃

著者 (13件)： DUDEK P. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  LUPINA G. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  KOZLOWSKI G. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  ZAUMSEIL P. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  BAUER J. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  FURSENKO O. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  DABROWSKI J. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHMIDT R. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  LIPPERT G. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  MUESSIG H.-j. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHROEDER T. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHMEISSER D. (BTU Cottbus, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, DEU) ,  ZSCHECH E. (Fraunhofer IZFP, Maria-Reiche-Strasse 2, 01109 Dresden, DEU)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29  号： 1  ページ： 01AC03  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いBaHfO₃でのTi⁴⁺イオンによるHf⁴⁺の制御された置換を,将来のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)応用の目的で調べた。Hfイオンの50%の置換は,BaHf_0.5Ti_0.5O₃層をDRAMプロセッシングと互換性があるようにするBaHfO₃層に関して,結晶化温度を約200°C低下させた。結果として生じた立方晶BaHf_0.5Ti_0.5O₃誘電体は,700°Cの高速熱処理の後,BaHfO₃に対して,誘電率が同様の温度で3倍高いk≒90になることを示した。<0.8nmの静電容量等価厚さを持つPt/BaHf_0.5Ti_0.5O₃/TiNコンデンサに対して,0.5Vで4×10^-5A/cm²の漏れ電流値を達成した。ナノスコピック導電性原子間力顕微鏡測定と組み合わせたシンクロトロンベースの光電子分光法は,高い仕事関数電極と均質な薄膜堆積法との使用が,漏れ電流制御に対して重要であることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： DRAM ,  誘電体 ,  *バリウム化合物 ,  *ハフニウム化合物 ,  酸化物 ,  ドーピング ,  チタン ,  *置換型固溶体 ,  結晶構造 ,  立方晶系 ,  *MBE成長 ,  *誘電体薄膜 ,  RTA【熱処理】 ,  静電容量 ,  コンデンサ ,  漏れ電流 ,  光電子分光法 ,  シンクロトロン放射 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  仕事関数 ,  X線光電子スペクトル ,  X線回折 ,  格子定数 ,  誘電率 ,  温度依存性 ,  バンド構造 ,  晶出温度
準シソーラス用語： 高k誘電体 ,  導電性原子間力顕微鏡

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ダイナミックランダムアクセスメモリ ,  誘電体 ,  原子スケール ,  エンジニアリング ,  Ti ,  HF ,  置換