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J-GLOBAL ID：201102284216166106   整理番号：11A0656314

光電子へテロ構造集積システムのためのCMOS,MEMS,および,フォトニクス回路の三次元ハイブリッド集積技術

Three-Dimensional Hybrid Integration Technology of CMOS, MEMS, and Photonics Circuits for Optoelectronic Heterogeneous Integrated Systems

著者 (7件)： LEE Kang-Wook (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NORIKI Akihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KIYOYAMA Kouji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KIYOYAMA Kouji (Nagasaki Inst. Applied Sci., Nagasaki, JPN) ,  FUKUSHIMA Takafumi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANAKA Tetsu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOYANAGI Mitsumasa (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 3  ページ： 748-757  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電子へテロ構造集積システムのための相補型金属酸化膜半導体,MEMS,およびフォトニクス回路の新しい3-Dハイブリッド集積技術を開発した。光電子機械と微小液体ハイブリッド集積の作製困難さを克服した。適用する3-Dハイブリッド集積技術を検証するために,LSI,MEMS,およびフォトニックデバイスからなる3-D光電子マルチチップモジュールを作製した。ASK-LSI,パッシブ,圧覚MEMSの電気チップをシリコン貫通電極(TSV)と微小液体チャネルよって電気Siインターポーザ上にマウントした。垂直共振器表面発光レーザとフォトダイオードのフォトニクスチップはTSVによって光学Siインターポーザ中に埋め込まれた。電気および光学インターポーザを正確に結合し,3-D光電子マルチチップモジュールを作製した。フォトニクスと電子デバイスはTSVを通して情報をやり取りすることができる。フォトニクスデバイスは光学インターポーザ上に形成された光学導波路を通して結合することができる。微小液体チャネルは高出力LSIの放熱のためにウエハ直接接着技術によってインターポーザ中に形成された。ここでは,適用する3-Dハイブリッド集積技術を検証するために,3-D光電子マルチチップモジュールに集積されるLSI,MEMS,そしてフォトニクスデバイスの基本性能を評価した。LSI,パッシブ,MEMS.および,フォトニクスデバイスが良好に実装できた。3-Dハイブリッド集積技術は光電子ヘテロ構造集積システムを実現できる。

シソーラス用語： *高密度実装 ,  固体回路部品 ,  光導波路 ,  *CMOS構造 ,  *MEMS
準シソーラス用語： インターポーザ ,  ハイブリッド型 ,  フォトニクス ,  三次元実装 ,  集積システム

分類 (1件)： 混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光電子 ,  テロ ,  集積システム ,  CMOS ,  MEMS ,  フォトニクス ,  集積