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J-GLOBAL ID：201102284529695983   整理番号：11A0852096

膜堆積時の基板温度がa-SiC:H積層膜中の原子結合状態に与える影響

Effect of Substrate Temperature during Deposition Process on Atomic Bonding State in a-SiC:H Multilayer Film

著者 (5件)： 和賀井達也 (東京電機大 工) ,  清水文隆 (東京電機大 工) ,  本橋光也 (東京電機大 工) ,  藤本明 (東京電機大 工) ,  本間和明 (東京電機大 工)
資料名： 材料の科学と工学  (Materials Science and Technology of Japan)
巻： 48  号： 2  ページ： 79-86  発行年： 2011年04月20日 
JST資料番号： G0788A  ISSN： 1347-4774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 積層膜における膜構造およびその膜形成過程について検討した。積層膜材料には,膜厚方向に原料となるモノシランSiH₄とメタンCH₄ガスの流量比を様様に変化させて作成した非晶質(a)SiC:H積層膜を用いた。この膜に関して,上層膜作成時の基板温度を変化させた積層膜を作成して,下層膜が上層膜におよぼす影響について,Si,C,Hおよび電子欠陥などを含めた原子結合状態の分析から検討した。得られた結果から,積層構造における膜の形成過程を論じた。一層厚が数十nm程度の膜を含むa-SiC:H積層膜の上層膜に関して,同じ基板温度とガス流量比で作成しても,一層当たりの厚さを薄くかつ積層化すことにより,膜厚が比較的大きいバルク状の膜に比べると膜中のC-Si-H結合が増加し,またSiと結合するH量も増加することが分かった。上層膜とバルク状の単層膜では,膜成長過程が両者で大きく異なり,結果として膜を構成する原子のネットワーク構造の緻密性も大きく異なると推論した。従って,積層膜の作成では,常に下層が上層におよぼす影響を素子の種類毎に考慮して,それぞれの成膜条件の最適化を行うことが重要と結論した。

シソーラス用語： *基板温度 ,  *プラズマCVD ,  シラン ,  *非晶質半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  水素 ,  *多層膜 ,  積層構造 ,  *ネットワーク構造 ,  アルカン
準シソーラス用語： モノシラン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (22件)：

• TAWADA, Y. J. Appl. Phys. 1982, 53, 5273
• KUROKAWA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L833
• GALOPIN, E. Biosensens. Bioelectron. 2010, 25, 1199
• 本橋光也. 電学論, A. 1989, 109, 327
• PARK, J. H. J. Appl. Phys. 1992, 72, 5246

タイトルに関連する用語 (5件)： 基板温度 ,  SiC ,  積層膜 ,  原子 ,  結合状態