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J-GLOBAL ID：201102288351909866   整理番号：11A0926742

基板型微結晶シリコン太陽電池における膜成長に関する出発手続きの重要性

Importance of Starting Procedure for Film Growth in Substrate-Type Microcrystalline-Silicon Solar Cells

著者 (6件)： CHANTANA Jakapan (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSUTSUI Yuichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SOBAJIMA Yasushi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SADA Chitose (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUDA Akihisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKAMOTO Hiroaki (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 4,Issue 1  ページ： 045806.1-045806.5  発行年： 2011年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速での水素化微結晶シリコン(μc-Si:H)膜成長の出発手続きを,プラズマ化学蒸着において制御し,μc-Si:Hベース基板型(n-i-p)太陽電池において,得られるn/i界面及び固有バルク層の光電気特性を改善した。膜成長中のプラズマにおける発光分光を用いてモニターした電子温度を,出発手続き,すなわち,緩やかなSiH₄導入及び低速電力供給,を変えることにより制御することに成功し,低ダングリングボンド欠陥密度の高品質μc-Si:H膜の作製を導いた。固有層における欠陥密度の低減及びn/i界面における光電気特性の改善を,高光起電力性能を示す単一接合n-i-p太陽電池の作製を通して実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  ケイ素 ,  水素化 ,  プラズマCVD ,  基板 ,  界面 ,  発光分光法 ,  *電子温度 ,  シラン ,  ダングリングボンド ,  欠陥密度 ,  光起電力
準シソーラス用語： *微結晶シリコン

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (34件)：

• 1) W. Guang-Pu, H. Okamoto, and Y. Hamakawa: Jpn. J. Appl. Phys. 24 (1985) 1105.
• 2) D. Kruangam, T. Toyama, Y. Hattori, M. Deguchi, H. Okamoto, and Y. Hamakawa: J. Non-Cryst. Solids 97-98 (1987) 293
• 3) T. Takeshita, T. Unagami, and O. Kogure: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L2118.
• 4) J. Meier, R. Fluckiger, H. Keppner, and A. Shah: Appl Phys. Lett. 65 (1994) 860.
• 5) K. Yamamoto, T. Suzuki, M. Yoshimi, and A. Nakajima: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L569.

タイトルに関連する用語 (5件)： 微結晶シリコン ,  太陽電池 ,  膜成長 ,  手続き ,  重要性