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J-GLOBAL ID：201102288493267535   整理番号：11A1445853

金ナノ粒子で修飾した半導体光電変換素子の近接場光電流イメージング

著者 (9件)： 原田洋介 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  井村考平 (早大 先進理工) ,  井村考平 (JST-さきがけ) ,  岡本裕巳 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  西島喜明 (北大 電子科研) ,  上野貢生 (北大 電子科研) ,  三澤弘明 (北大 電子科研) ,  長瀬和也 (ローム) ,  大西大 (ローム)
資料名： エクストリームフォトニクス研究 第11回 理研・分子研合同シンポジウム 平成22年
ページ： 161-162  発行年： 2010年 
JST資料番号： N20111437  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光起電素子 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  フォトダイオード ,  表面改質 ,  ナノ粒子 ,  光学 ,  光電流 ,  画像処理 ,  近接場光学 ,  金ナノ粒子

分類 (1件)： 光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 金ナノ粒子 ,  修飾 ,  光電変換素子 ,  近接場 ,  光電流 ,  イメージング