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J-GLOBAL ID：201102293819623160   整理番号：11A1568595

スケーラブルTaN金属ソース/ドレイン&ゲートInGaAs/Ge系n/pMOSFET

Scalable TaN Metal Source/Drain & Gate InGaAs/Ge n/pMOSFETs

著者 (11件)： MAEDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  URABE Y. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ITATANI T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ISHII H. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIYATA N. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YASUDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMADA H. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  HATA M. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  YOKOYAMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011  ページ： 62-63  発行年： 2011年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スケーラブルInGaAs/Ge系n/pMOSFETを実現するため,材料のバンドラインアップを考慮することにより,共通のTaN金属ソース/ドレインとゲート(Metal-SD&G)を用いた,高移動度InGaAs/Ge 2チャンネルのスケーラブルCMOS作製プロセスを新提案した。TaNは,ゲート金属と障壁金属として高信頼度性能を与えるため,中間ギャップ金属としてTaNを選択した。共通TaN金属ソース/ドレインと高移動度TaN/Al₂O₃ゲート積層(Metal-SD&G)を組み合せることにより,同時に作製したサブ100nmゲート長をもつInGaAs/Ge系n/pMOSFETの動作を実現することに成功した。両nMOSFETとpMOSFETは各々,70と100mV/decのサブしきい値傾斜(SS)など優れた性能を得た。また,高短チャンネル効果(SCE)耐性をもつTaN Metal-SD&G InGaAs系nMOSFETの50nmへのスケーラビリテイを実証した。共通Metal-SD&Gを用いた同時集積化InGaAs/Ge高移動度チャンネルは,将来の超縮小化CMOSとして大きな可能性を持っている。

シソーラス用語： *スケーリング【計数】 ,  *窒化物 ,  *タンタル化合物 ,  *金属材料 ,  *ソース【半導体】 ,  *ドレイン【半導体】 ,  *ゲート【半導体】 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ゲルマニウム ,  P型半導体 ,  *MOSFET ,  N型半導体 ,  CMOS構造 ,  キャリア移動度 ,  電流電圧特性 ,  電流密度 ,  MOS構造
準シソーラス用語： 短チャンネル効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ソース ,  ドレイン ,  ゲート ,  InGaAs ,  Ge ,  pMOSFET