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J-GLOBAL ID：201102294922116303   整理番号：11A0168747

溝形成Si(1110)基板上のGeナノプリズムにおける相互混合の増強

Enhanced intermixing in Ge nanoprisms on groove-patterned Si(1 1 10) substrates

著者 (7件)： CHEN G. (Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT) ,  VASTOLA G. (Inst. of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, No. 16-16 Connexis, Singapore 138632) ,  ZHANG J. J. (Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT) ,  SANDUIJAV B. (Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT) ,  SPRINGHOLZ G. (Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT) ,  JANTSCH W. (Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT) ,  SCHAEFFLER F. (Inst. of Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Univ., Altenbergerstr. 69, A4040 Linz, AUT)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 2  ページ： 023104  発行年： 2011年01月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溝形成Si(1110)上の{105}限定SiGeナノリップルの形態論的及び成分的な発展を,溝幅の変化に関して報告する。ナノリップル及び溝側壁の間のSi-Ge相互混合の増進は,溝幅の減少によるリップル堆積の観察された増加,及びリップルの総数の減少の駆動力と解釈される。有限要素シミュレーションは,相互混合の増進が,リップルの全エネルギー密度の極小化から生じることを明らかにする。この実験及びモデル化は,ナノリップルの組成をコントロールする直接的なルートを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  プリズム ,  *ゲルマニウム ,  *溝形 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  電子ビームリソグラフィー
準シソーラス用語： Si基板 ,  ナノプリズム

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溝形成 ,  Si ,  Ge ,  ナノプリズム ,  相互混合 ,  増強