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J-GLOBAL ID：201102298315639009   整理番号：11A0563500

二酸化ケイ素及び窒化ケイ素膜を研磨するために用いる添加剤とセリア研磨剤と間の錯体形成

Complexing Between Additives and Ceria Abrasives Used for Polishing Silicon Dioxide and Silicon Nitride Films

著者 (8件)： WANG Liangyong (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN) ,  WANG Liangyong (Clarkson Univ., New York, USA) ,  LIU Bo (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN) ,  LIU Weili (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN) ,  FENG Songlin (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN) ,  HUANG David (Praxair Electronics, Indiana, USA) ,  BABU S. V. (Clarkson Univ., New York, USA)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14  号： 3  ページ： H128-H131  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 添加剤とセリア研磨剤と間の相互作用に関する添加剤の構造が演ずる役割を調べた。セリアと種々の水溶性有機添加剤との間の相互作用を評価するため,また,酸化ケイ素及び窒化ケイ素膜脱離速度を制御するためセリア系スラリ中で種々の構造の添加剤を調べた。これらのスラリのζ電位データは添加剤とセリア研磨剤と間の提唱した錯体形成を支持する。ζ電位データから,グルタル酸,クエン酸,マロン酸,EDTA,D-グルコン酸などのβ-ジケトネート状構造の添加剤は酸化ケイ素及び窒化ケイ素脱離速度を抑制する可能性がある。

シソーラス用語： 錯体生成 ,  *酸化セリウム ,  *研磨剤 ,  *二酸化ケイ素 ,  *窒化ケイ素 ,  ζ電位 ,  透過型電子顕微鏡 ,  脂肪族カルボン酸 ,  ジカルボン酸 ,  脂肪族アルコール ,  ヒドロキシ酸 ,  ポリカルボン酸 ,  脂肪族アミン ,  アミノカルボン酸 ,  ジアミン ,  アルドン酸
準シソーラス用語： *錯体形成

分類 (2件)： その他の表面処理  (WC08070F) ,  化学一般その他  (CA01060X)

物質索引 (5件)： グルタル酸 ,  クエン酸 ,  マロン酸 ,  EDTA ,  D-グルコン酸

タイトルに関連する用語 (7件)： 二酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素膜 ,  研磨 ,  添加剤 ,  セリア ,  研磨剤 ,  錯体形成