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J-GLOBAL ID：201102298626164853   整理番号：11A1123564

陽極酸化アルミニウムテンプレートを用いたSi基板上の1テラビット/インチ²を越える超高密度磁気ナノワイヤの作製

Preparation of Ultrahigh-Density Magnetic Nanowire Arrays beyond 1 Terabit/Inch² on Si Substrate Using Anodic Aluminum Oxide Template

著者 (5件)： SHIMIZU Tomohiro (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  AOKI Kazumo (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  TANAKA Yoshinori (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  TERUI Toshifumi (National Inst. of Information and Communications Technol., Kobe, JPN) ,  SHINGUBARA Shoso (Kansai Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 6,Issue 2  ページ： 06GE01.1-06GE01.3  発行年： 2011年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に形成した陽極酸化アルミニウム(AAO)テンプレートとパルス直流電着を組合せて超高密度Coナノワイヤ配列を作製した。AAOテンプレートは3~40Vの陽極酸化電圧で作製し,その直径は15~40nmであった。AAOテンプレートと<3Vの陽極酸化電圧を用いて,ワイヤ密度>2.88Tbit/in²を得た。ナノワイヤ配列の磁気的性質は強い垂直磁気異方性を示し,ナノワイヤ径が細くなると保磁力の増加傾向が観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,  *ナノワイヤ ,  型 ,  密度 ,  ウエハ【IC】 ,  電着 ,  *垂直磁気異方性 ,  保磁力 ,  磁性体 ,  磁気記録 ,  *磁気記録材料 ,  曲線 ,  磁気ヒステリシス
準シソーラス用語： Si基板 ,  テンプレート【型】 ,  ヒステリシスループ ,  磁気ナノワイヤ ,  磁性ナノワイヤ ,  超高密度 ,  陽極酸化アルミニウム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• 1) M. Todorovic, S. Schltz, J. Wong, and A. Scherer: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2516.
• 2) C. Haginoya, K. Koike, Y. Hirayama, J. Yamamoto, M. Ishibashi, O. Kitakami, and Y. Shimada: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 3159.
• 3) H. Kitahara, Y. Uno, H. Suzuki, T. Kobayashi, H. Tanaka, Y. Kojima, M. Kobayashi, M. Katsumura, Y. Wada, and T. Iida: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 06GE02.
• 4) S. Kawai and R. Ueda: J. Electrochem. Soc. 122 (1975) 32.
• 5) M. Sun, G. Zangari, M. Shamsuzzoha, and M. Metzger: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2964.

タイトルに関連する用語 (8件)： 陽極酸化アルミニウム ,  テンプレート ,  Si基板 ,  テラビット ,  インチ ,  高密度 ,  磁気ナノワイヤ ,  作製