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J-GLOBAL ID：201102299412545325   整理番号：11A1811821

SrTiO₃ホモエピタキシャル薄膜成長初期過程の原子スケール観察

Atomic-Scale Observation of Initial Growth Process of Homoepitaxial SrTiO₃ Thin Films

著者 (5件)： 岩谷克也 (東北大 WPI-AIMR) ,  大澤健男 (東北大 WPI-AIMR) ,  清水亮太 (東北大 WPI-AIMR) ,  一杉太郎 (東北大 WPI-AIMR) ,  一杉太郎 (JST-さきがけ)
資料名： 日本結晶学会誌  (Journal of the Crystallographic Society of Japan)
巻： 53  号： 5  ページ： 353-358  発行年： 2011年10月31日 
JST資料番号： G0232A  ISSN： 0369-4585  CODEN： NKEGAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パルスレーザー蒸着(PLD)によりホモエピタキシャル成長させたSrTiO₃薄膜の表面構造を低温走査トンネル顕微鏡法(STM)を用いて研究した。頻繁に用いられる基板調製プロセスで作製したSrTiO₃単結晶基板の表面状態について論じ,次にこの表面上にステップフローおよび層ごと成長により成長させたSrTiO₃薄膜の表面構造を比較した。層ごと成長により得た薄膜の表面では,ステップフロー成長とは対照的に,テラス上に多数うの1ユニットセル高さの島構造およびピット構造が存在した。SrTiO₃基板表面が原子規模では無秩序であることを示し,その基板上に成長させたホモエピタキシャルSrTiO₃薄膜の成長モードの違いによる表面構造を示した。さらに,酸化物薄膜成長条件下で安定な原子レベル秩序をもつSrTiO₃表面準備法を示し,その上へのSrTiO₃ホモエピタキシャル成長の初期過程を原子規模で明らかにした。

シソーラス用語： *パルスレーザ照射 ,  *レーザ蒸着 ,  ホモエピタクシー ,  *チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  *誘電体薄膜 ,  *表面構造 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  表面ステップ ,  表面テラス ,  島状構造 ,  *構造

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

引用文献 (17件)：

• 1) A. Ohtomo and H. Y. Hwang: Nature 427, 423 (2004).
• 2) A. Gozar, et al.: Nature 455, 782 (2008).
• 3) K. Koguchi, T. Matsumoto and T. Kawai: Science 267, 71 (1995).
• 4) J. X. Ma, et al.: Phys. Rev. Lett. 95, 237210 (2005).
• 5) Ø. Fischer, et al.: Rev. Mod. Phys. 79, 353 (2007).

タイトルに関連する用語 (7件)： ホモ ,  エピタキシャル ,  薄膜成長 ,  初期 ,  過程 ,  原子スケール ,  観察